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贴片电解电容的发展
编辑:管理员 浏览:次 发布时间:2016-09-13
贴片电解电容的发展
具统计,
铝电解电容器
在电容器中占据第二位的产量排名,在现在的电子产品中,大多数的电子产品都会用到
电解电容
器,这也就说明了电解电容器存在是不缺少的。最初的电解电容一般是直流电容器,随着时代的变化,科技的发展,电解电容器已经从直流发展到交流,从低温发展到高压。从通用型发展到特殊型 ,从一般的结构发展到片式、扁平、书本式等结构。其上限容量也已经扩展到4F左右,使用频率已达到30Khz,工作温度范围也已达到-55℃-125℃,有的甚至已经高到150℃,额定 电压已达到700V。
随着
铝电解电容
器的发展,导致了电解电容的基础:
1.在材料上,现在用的铝箔在成分和结构上都有讲究,已经不再要求高纯。例如,对阳极箔,要求其纯度高到适当就可以了,为了提高起始腐蚀点数,机械强度及介质氧化膜的性能,箔中要适当的含有某些杂质,并有的采用合金箔。在结构上,对低压箔,不要求立方结构占的比例很大 ,但是对高压箔 ,则要求这种结构占到80%-90%以。对阴极箔,为了提高其比容,则要求晶粒无规则取向的含杂量一定的合金铝箔。工作电解液有三种成分构成,即溶剂,溶质和添加物,如已长期应用的电解液,其成分为乙二醇、甘油、硼酸和氨水。由于铝电解
电容
器的发展,这种 电解液已远不能满足要求,故产生了许多新型电解液,以降低电容器的工作温度范围(-55℃-125℃)。
2.在工艺上,除了已经实现 生产机械化和自动化以外,
铝电解电容
器在工艺上的进展主要是腐蚀相赋能两个工艺 。铝箔的腐蚀系数不但已经很高(低压
电容
器箔已达100,高压达25),而且可以根据对
电容
器的要求,腐蚀出不同坑洞形貌的铝箔。腐蚀工艺是一种腐蚀液种类,浓度、温度、原箔成分,结构 、表面状态、腐蚀过程中箔速度以及电源类型,波形、频率、电压等的动态平衡工艺。问题是如何得出最佳的动态平衡和如何根据要求确定出最传平衡。因此,对现在的腐蚀工艺还不能说已经达到了最佳状态。 现在的赋能工艺已经可以制造出优质的介质氧化膜,而月还可以根据要求不同,制造出不同的介质氧化膜,例如,对直流
电容
器,制造出γ和γ’型结晶氧化铝膜,对交流
电容
器,则为非晶膜。赋能工艺最大的进展是能将氢氧化铝膜转变成介质氧化铝膜、并能在其表面形成防水层。此外,还能消除介质膜的疵点和龟裂。
3.在结构上,铝电解电容器的结构已经多样化,除了上述液体铝电解电容器外.还有固体铝电解
电容
器。其结构形式主要有两种,一种是箔式卷绕形的,另一种是铝粉烧结多孔块状的,所用的固体电解质主要是MnO2。 铝电解
电容
器的结构已经多样化,如双阳极结构、对阴极结构、 书本式结构、三角式结构、片式结构。其中片式铝电解电容器的出现是铝电解电容器的又—进步。因为如果没有高比容的铝箔、耐高温的电解液、优异的密封结构和精细的加工技术,是很难制出合乎要求的片式铝电解
电容
器的,小体积大容量的贴片电解
电容
器也正逐步开发出来.目的,其片式化率还处于比高端发展的水平。
从第一台30吨的计算机的发明到如今的可以随身携带的笔记本电脑,我们可以知道电子产品在不断的智能化不断的缩小化,而
电解电容
也在不断的缩小化不断的智能化所以说未来
电解电容
的发展空间将会有更大的空间。
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